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多晶硅薄膜的制备与表征

中文会议: 中国第七届光伏会议论文集

会议日期: 2002-10-23

会议地点: 杭州

主办单位: 中国太阳能学会

作  者: ; ; ; (胡芸菲);

机构地区: 华南理工大学材料科学与工程学院

出  处: 《中国第七届光伏会议》

摘  要: 以多晶硅片为衬底,在快热化学气相沉积(RTCVD)设备上,通过外延生长的方式制得多晶硅薄膜,并利用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)等测试手段对薄膜的形貌结构及成分进行分析.

关 键 词: 多晶硅薄膜 化学气相沉积 颗粒硅带 外延生长 薄膜制备 形貌结构

领  域: [电子电信]

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