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会议论文 离子刻蚀Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的损伤机理
出处:2006年全国功能材料学术年会
摘要:采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对InGaN/AlGaN、InAsP/InP应变多量子阱和InAsP/InGaAsP应变单量子阱进... 显示全部
关键词: 半导体材料 离子刻蚀 应变多量子阱 光致发光
会议论文 氢钝化对GaAs/SiO2纳米颗粒镶嵌薄膜光学性质的影响
出处:2005(第四届)中国纳米科技西安研讨会
摘要:本文利用射频共溅射方法,在溅射气氛含氢与不舍氢条件下,在石英玻璃和抛光硅片衬底上沉积GaAs/SiO2纳米颗粒... 显示全部
关键词: 纳米薄膜 射频溅射 氢钝化 半导体材料
会议论文 高质量InGaN多量子阱的光荧光特性研究
出处:第十届全国MOCVD学术会议
摘要:利用金属有机气相沉积(MOCVD)方法,在自支撑GaN衬底上生长获得了阱宽为3.19纳米和2.7纳米的高质量InGaN多量... 显示全部
关键词: 半导体材料 多量子阱结构 基态跃迁
会议论文 半导体材料的红外椭偏光谱研究
出处:第十二届全国半导体物理学术会议
关键词: 半导体材料 红外椭偏光谱
会议论文 ALN晶体生长系统的温度场分析
出处:第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
摘要:  采用有限元法模拟了物理气相传输法(PVT)制备大尺寸AIN晶体的温度场,应用ANSYS软件对比研究了在不同实... 显示全部
关键词: 氮化铝晶体 半导体材料 温度场分析 数值模拟
会议论文 La<,0.5>Sr<,0.5>CoO<,3>薄膜的外延生长及其电性能的研究
出处:中国科协首届学术年会
摘要:<正>La0.5Sr0.5CoO3(LSCO)具有优良的导电性和化学稳定性,用作薄膜电极可明显地改善铁电薄膜的寿命和疲劳... 显示全部
关键词: 薄膜生长 脉冲激光沉积 半导体材料 电性能 外延生长
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