中文会议： 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议论文集

会议日期： 2012-11-07

会议地点： 开封

主办单位： 中国电子学会

作　　者： ; ; ;

机构地区： INSTITUTEOFOPTOELECTRONICSSHENZHENUNIVERSITYSHENZHEN518060CHINA

出　　处： 《第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议》

摘　　要： 　　采用有限元法模拟了物理气相传输法(PVT)制备大尺寸AIN晶体的温度场，应用ANSYS软件对比研究了在不同实验条件下生长系统的温度场分布情况。模拟结果表明：最高温度在坩埚上，并位于感应线圈的几何中心处。物料与结晶体之间的距离对温度梯度有很大的影响。在电源的输出电流、输出频率以及测温孔直径不变的情况下，选择适当的感应线圈匝间距、坩埚位置以及物料与晶体之间的距离可以提高坩埚内的轴向温度梯度和物料区温度，实现较快的晶体生长，得到较高的晶体质量。

关 键 词： 氮化铝晶体 半导体材料 温度场分析 数值模拟

分 类 号： [ZZ]