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期刊文章 金属系统对SiGe HBT自热效应的影响
出处:微电子学 2005年第4期 332-335,339,共5页
摘要:在SiGe HBT设计中,采用Al-TiN-Ti多层金属系统,可减小基极电阻,提高器件的频率和功率特性(fmax).但是,本文... 显示全部
关键词: 多层金属结构 自热效应 输出特性
期刊文章 用于SiGe HBT器件的UHV/CVD n^-型硅外延研究
出处:半导体学报 2004年第12期 1666-1671,共6页
摘要:利用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)设备,在掺As n^+型Si衬底上生长了掺Pn型Si外延层.用扩展电阻法分析... 显示全部
关键词: 硅外延 杂质分布
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期刊文章 TiSi2在微波低噪声SiGeHBT中的应用
出处:半导体技术 2006年第1期 40-43,共4页
摘要:通过在SiGeHBT外基区和多晶发射极上制作TiSi2,从而使器件的高频噪声系数得到进一步降低。以PD=200mW的SiG... 显示全部
关键词: 锗硅异质结双极晶体管 二硅化钛 微波 低噪声
期刊文章 一种同时实现算子调度与数据流图划分的高层次综合算法
出处:半导体学报 2004年第4期 383-387,共5页
摘要:选择分模块的数据通道作为高层次综合的目标结构,完整地定义了同时实现算子调度和数据流图划分的高层次综... 显示全部
关键词: 高层次综合 调度 划分 分模块结构
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期刊文章 BVCBO为23V且fT为7GHz 30叉指微波功率SiGe HBT
出处:半导体学报 2004年第10期 1238-1242,共5页
摘要:在125mm标准CMOS工艺线上,对标准CMOS工艺经过一些必要的改动后,研制出了多叉指功率SiGe HBT.该器件的BV... 显示全部
关键词: 功率管
期刊文章 优化寄存器需求的资源约束调度算法
出处:计算机辅助设计与图形学学报 2004年第9期 1220-1224,共5页
摘要:调度和寄存器优化是两个相互关联的问题,顺序完成这两个步骤的传统方法会导致非优化的结果.提出一种优化寄... 显示全部
关键词: 寄存器优化 寄存器需求 资源约束调度算法 高层次综合 算法 数字系统
期刊文章 用于悬浮纳米结构制作的氢氟酸气相刻蚀研究
出处:半导体技术 2009年第12期 1166-1169,共4页
摘要:针对纳米悬浮结构的制作,对不同温度和不同气相条件下的氢氟酸(HF)气相刻蚀进行了研究。利用自制的研究装... 显示全部
关键词: 氢氟酸 气相刻蚀 二氧化硅 纳米结构 纳机电系统
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期刊文章 Al—Si合金RIE参数选择
出处:半导体技术 2004年第11期 19-21,共3页
摘要:采用正交试验法对二手RIE刻Al设备A-360进行工艺参数选择试验,并以均匀性、刻蚀速率、对PR选择比为评价指标... 显示全部
关键词: 反应离子刻蚀 正交试验 刻蚀 刻蚀速率
期刊文章 双核双域椭圆曲线密码处理器
出处:清华大学学报:自然科学版 2008年第10期1655-1658,共4页
摘要:为了加快签名和验证的速度,给出了一种支持多种椭圆曲线密码(ECC)协议的双核双域ECC处理器结构。它不但... 显示全部
关键词: 椭圆曲线密码 椭圆曲线数字签名算法 多倍点 点加 点验证
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期刊文章 面向分模块寄存器传输级结构的高层次综合方法
出处:微电子学 2004年第3期 302-305,309,共5页
摘要:随着集成电路工艺技术的发展,连线延时将逐渐主导系统的性能,传统的高层次综合方法已经不能满足设计的需要.... 显示全部
关键词: 寄存器传输级 深亚微米 高层次综合 划分 调度
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