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期刊文章 一种基于绝缘体上Ge的碰撞电离晶体管
出处:微纳电子技术
摘要:碰撞电离晶体管(IMOS)在高速、低功耗领域具有很好的应用前景。以优化传统IMOS的工作电压为目的,介绍了... 显示全部
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期刊文章 多晶硅薄膜晶体管的电流和电容分析模型(英文)
出处:华南理工大学学报(自然科学版) 2007年第10期
摘要:提出一种用于电路模拟的基于表面势的多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFTs)的电流和电容分析模型.采用非迭代方法... 显示全部
关键词: 多晶硅薄膜晶体管 表面势 电流模型 电容模型
期刊文章 物理法造型在NPN晶体三极管模型建立的应用
出处:广西师院学报:自然科学版 2000年第3期 64-67,共4页
摘要:该文介绍器件物理法造型的基本步骤和方法,指出在建立NPN晶体三极管造型的过程中,如何选取物理变量,建立... 显示全部
关键词: 物理法造型 晶体 三极管模型 直流伴随模型 直流模型
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期刊文章 锗在低耗低压晶体管中表现优于硅
出处:现代材料动态
摘要:来自德国德累斯顿理工大学的纳米电子材料实验室(NaMLab)和德累斯顿卓越中心集团的一个科学家团队报告说... 显示全部
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期刊文章 可提高晶体管电子迁移率的硅-氮化镓晶体技术
出处:现代材料动态
摘要:伊利诺伊大学厄巴纳·尚佩恩分校的一个研究小组通过优化构成器件的半导体层的组成提高氮化镓(GaN)-硅晶... 显示全部
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