可检索词： （英文）题名=T 作者=A 关键词=K 摘要=R 机构=O 主题=S 刊名=M 分类号=N
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中图分类号： 选择
作 者： (李龙飞）;
机构地区： 不详
出 处： 《现代材料动态》 2017年第8期6-6,共1页
摘 要： 伊利诺伊大学厄巴纳·尚佩恩分校的一个研究小组通过优化构成器件的半导体层的组成提高氮化镓（GaN）-硅晶体管技术。并与行业合作伙伴Veeco和IBM合作，该团队在200mm硅衬底上创建了高电子迁移率晶体管（HEMT）结构，其工艺将扩展到更大的工业标准晶圆尺寸。
关 键 词： 高电子迁移率晶体管 硅晶体管 晶体技术 氮化镓 合作伙伴 半导体层 晶圆尺寸 工业标准
