作　　者： ; ; (陈荣盛）;

机构地区： 华南理工大学理学院微电子研究所

出　　处： 《华南理工大学学报(自然科学版)》 2007年第10期

摘　　要： 提出一种用于电路模拟的基于表面势的多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFTs)的电流和电容分析模型.采用非迭代方法计算poly-Si TFTs表面势随端电压的变化,从而大大地提高了上述模型的计算效率.基于表面势的解析计算和薄层电荷方法,提出了包括小尺寸效应和翘曲效应的电流电压模型.同时,文中还提出了基于电荷的电容模型.电流和电容模型在线性区和饱和区都是连续和准确的,不需要没有物理意义的光滑处理.与实验数据的比较发现,模型和实验数据符合得较好,这也证明了所提出模型的准确性.并且,该模型适用于电路仿真器.

关 键 词： 多晶硅薄膜晶体管 表面势 电流模型 电容模型

分 类 号： [TN32]

领　　域： [电子电信]