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期刊文章 生长温度对Ga掺杂ZnO薄膜光电性能的影响
出处:发光学报 2012年第3期 318-321,共4页
摘要:在不同衬底温度(室温~750℃)条件下,采用脉冲激光沉积(PLD)方法在石英玻璃和单晶硅(111)衬底上制备... 显示全部
关键词: 掺杂 脉冲激光沉积 衬底温度
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期刊文章 衬底温度对直接光CVD SiO2薄膜特性的影响
出处:半导体学报 2002年第8期 825-829,共5页
摘要:采用以低压氙(Xe)气激发真空紫外光作光源,以SiH4和O2作反应气体的直接光CVD技术淀积SiO2薄膜。通过椭圆... 显示全部
关键词: 衬底温度 薄膜特性 氧化硅 气相沉积
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期刊文章 衬底温度对激光原位生长(Bi,Pb)2Sr2CuOx薄膜特性的影响
出处:低温物理学报 1994年第6期 417-424,共8页
关键词: 衬底 激光原位生长 薄膜 特性 衬底温度
期刊文章 真空蒸镀聚乙烯醇薄膜
出处:真空科学与技术学报 2004年第5期 359-362,共4页
摘要:采用真空蒸发沉积(蒸镀)聚乙烯醇薄膜,通过SEM和光学显微镜观察聚乙烯醇薄膜呈现典型的岛状形式并均匀分布... 显示全部
关键词: 聚乙烯醇薄膜 真空蒸镀 衬底温度 真空蒸发沉积 均匀分布 薄膜沉积 红外光谱分析 表面 化学结构
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期刊文章 离子束溅射制备CuInSe2薄膜的研究
出处:真空科学与技术学报 2009年第6期 659-663,共5页
摘要:利用离子束溅射沉积技术,设计三元复合靶,直接制备CuInSe2(CIS)薄膜。通过X射线衍射仪(XRD)、原子力显... 显示全部
关键词: 离子束溅射 薄膜 衬底温度 退火温度
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期刊文章 PECVD SiC薄膜的AES研究
出处:真空科学与技术学报 1989年第3期189-192,共4页
摘要: 本文介绍用俄歇电子能谱对等离子增强化学气相淀积非晶碳化硅薄膜进行组分的定量分析、深度剖析和元素的化... 显示全部
关键词: 硅薄膜 化学气相淀积 非晶碳 化学状态 衬底温度 光学带隙 介质薄膜 俄歇电子
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