作　　者： ; ; (刘德中）; (周庆）; (王季陶）;

机构地区： 上海市测试技术研究所

出　　处： 《真空科学与技术学报》 1989年第3期189-192,共4页

摘　　要： 本文介绍用俄歇电子能谱对等离子增强化学气相淀积非晶碳化硅薄膜进行组分的定量分析、深度剖析和元素的化学状态分析;不同制备条件下非晶碳化硅薄膜的一些淀积规律和工艺中的问题,并利用SiLVV和C KLL俄歇谱探讨非晶碳化硅的特征和硅、碳的化学状态。

关 键 词： 硅薄膜 化学气相淀积 非晶碳 化学状态 衬底温度 光学带隙 介质薄膜 俄歇电子

领　　域： [一般工业技术]