作　　者： ; ;

机构地区： 北京大学

出　　处： 《低温物理学报》 1994年第6期417-424,共8页

摘　　要： 利用激光沉积技术，在ＳｒＴｉＯ３和Ｙ－ＺｒＯ２衬底上原位制备了（Ｂｉ，Ｐｂ）２Ｓｒ２ＣｕＯｘ薄膜．当衬底温度为Ｔｓ＝７０３℃，氧分压为１００ｍｔｏｒｒ时，Ｘ射线显示，生长的２２０１相（Ｂｉ，Ｐｂ）２Ｓｒ２ＣｕＯｘ薄膜具有Ｃ轴垂直于衬底表面的外延取相．我们对衬底温度与薄膜结构，晶格常数，和薄膜电阻率的影响，进行了研究． Abstract Bi,Pb)2Sr2CuOx thin films have been in Situ deposited on SrTiO3 and Y-ZrO2 substraies by laser ablation technique.At substrate temperature of Ts= 703℃ at the oxygen pressure of 100 mTorr, epitaalal growth of 2201 phase (Bi,Pb)2Sr2CuOx films with c-axis perpendicular to the substrate surface has been achieved.Influences of the substrate temperature on the structure,lattice constant and resistivity of the as-grown films have been studied.

关 键 词： 衬底 激光原位生长 薄膜 特性 衬底温度

领　　域： [理学] [理学]