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期刊文章 MOS结构电容高频C-V特性的应用
出处:半导体技术 2010年第1期 94-98,共5页
摘要:CMOS工艺的发展要求栅介质层厚度不断减薄,随着栅极漏电流的不断增大使用准静态的方法测量器件特性不稳定... 显示全部
关键词: 电容 电荷密度 界面态 高频
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期刊文章 电荷泵技术在CMOS工艺中的应用研究
出处:微电子学 2012年第5期710-715,720共7页
摘要:随着CMOS工艺的发展,栅介质层厚度不断减薄,而电源电压并没有等比例缩小,导致栅漏电流不断增大,测量界面态... 显示全部
关键词: 电荷泵 界面态 氧化层陷阱电荷 空间分布 能量分布
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期刊文章 利用高频C-V特性评价CMOS工艺
出处:半导体技术 2010年第4期383-387,共5页
摘要:MOS结构电容由于其结构简单并且和CMOS工艺兼容,是进行实时工艺监控和测试工艺参数的重要测试结构。采用通... 显示全部
关键词: 电容 界面态 高频 测试
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期刊文章 影响ZnO压敏陶瓷非线性有关参数的优化分析
出处:压电与声光 2003年第4期 336-340,共5页
摘要:基于已有的导电机理模型,认为ZnO压敏陶瓷的非线性与界面势垒的高度和宽度相关,界面态密度Ns、施主浓度Nd和... 显示全部
关键词: 界面态 界面能级 肖特基势垒 非线性系数
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期刊文章 用电容和电导测量法研究SiNx/nc—Si/SiNx双势垒结构界面特性
出处:韩山师范学院学报 2011年第3期 37-41,共5页
摘要:利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,淀积a—SiNx/nc—Si/a—SiNx不对称双势垒存储结构.通过电... 显示全部
关键词: 界面态 不对称双势垒结构 电容测量法 电导测量法
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期刊文章 基于光子晶体塔姆态的带隙分裂
出处:光学学报 2012年第5期 158-162,共5页
摘要:将由两个一维介质层光子晶体组成的异质结拓展为超晶格结构,分析了该结构的能带和透射谱。该超晶格结构可以... 显示全部
关键词: 材料 光子晶体 一维光子晶体 界面态 塔姆态
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期刊文章 MOS器件界面态与陷阱电荷分离方法研究
出处:电子产品可靠性与环境试验 2006年第4期 26-29,共4页
摘要:对MOS结构器件.要分离由辐射效应引起的界面态电荷与氧化层陷阱电荷的方法有根多种.如中电带压法、电荷泵... 显示全部
关键词: 界面态 氧化层陷阱电荷 电荷分离方法 辐照效应
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