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期刊文章 水热法合成羟基氧化镓与优化探索
出处:无机盐工业 2013年第2期15-16,共2页
摘要:羟基氧化镓(GaOOH)是合成氮化镓的重要原料,其微观形态特征对所制备氮化镓的物理性能有着重要影响。以氧... 显示全部
关键词: 羟基氧化镓 水热合成 氮化镓
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期刊文章 GaN基材料生长及其在光电器件领域的应用
出处:材料导报 2002年第1期 31-35,共5页
摘要:GaN具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度大和介电常数小等特点,在高亮度发光二极管、短波长激光二... 显示全部
关键词: 外延生长 掺杂 半导体器件 光电器件 半导体材料 制备 氮化镓
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期刊文章 高亮度GaN基蓝色LED的研究进展
出处:量子电子学报 2003年第1期 10-17,共8页
摘要:超高亮度GaN基蓝色LED的发展将会引起照明技术的一场革命,它是目前全球半导体领域研究和投资的热点.本文综... 显示全部
关键词: 高亮度 蓝色 欧姆接触 刻蚀 发光二极管 氮化镓 发展现状 外延生长
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期刊文章 通孔结构Si衬底AlGaN/GaN HFET的热特性模拟
出处:半导体技术 2008年第S1期112-115,共4页
摘要: 使用有限元软件ANSYS,对通孔结构Si衬底Al GaN/GaN HFET进行了热特性模拟。首先,根据器件结构建立了以栅极... 显示全部
关键词: 铝镓氮 氮化镓 异质结场效应管 通孔结构
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期刊文章 湿法化学腐蚀研究GaN薄膜中的位错
出处:半导体技术 2008年第S1期171-174,共4页
摘要: 采用湿法化学腐蚀结合扫描电子显微镜、阴极荧光谱仪手段对GaN(0001)/Al2O3中的位错进行了研究。实验以熔... 显示全部
关键词: 氮化镓 位错 扫描电子显微镜 阴极荧光谱
期刊文章 一种发光二极管模型中无序光子晶体对光输出影响的研究
出处:光子学报 2006年第6期 902-905,共4页
摘要:利用Order-N算法及超晶格技术讨论了位置无序及尺寸无序对石墨点阵柱状光子晶体光子带隙的影响.计算结果表... 显示全部
关键词: 无序光子晶体 光子带隙 发光二极管 氮化镓
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期刊文章 AlxGal-xN/GaN异质结构中Al组分对二维电子气性质的影响
出处:物理学报 2003年第7期 1756-1760,共5页
摘要:通过用数值计算方法自洽求解薛定谔方程和泊松方程,研究了Al组分对AlxGa1-xN/GaN异质结构二维电子气性质的... 显示全部
关键词: 异质结构 铝组分 二维电子气 自发极化 压电极化 能带偏移 半导体 氮镓铝化合物 氮化镓
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期刊文章 GaN功率开关器件的产业发展动态
出处:电力电子技术 2017年第8期44-48,共5页
摘要:氮化镓(GaN)功率电子器件具有优异的电学特性,在高速、高温和大功率领域具有十分广阔的应用前景,满足下... 显示全部
关键词: 功率开关器件 氮化镓 常关型器件 封装
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期刊文章 GaN基白光LED在直流与脉冲驱动下的性能比较
出处:半导体技术 2008年第S1期183-186,共4页
摘要: GaN基白光LED以其效率高、响应快及尺寸小等优点,有望成为下一代的照明光源。但是要想取代传统照明光源,LE... 显示全部
关键词: 氮化镓 白光 直流 脉冲 热管理 光通量
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