作　　者： ; ; ; ;

机构地区： 南京大学物理学院物理学系

出　　处： 《物理学报》 2003年第7期1756-1760,共5页

摘　　要： 通过用数值计算方法自洽求解薛定谔方程和泊松方程 ,研究了Al组分对AlxGa1 -xN GaN异质结构二维电子气性质的影响 ,给出了AlxGa1 -xN GaN异质结构二维电子气分布和面密度 ,导带能带偏移以及子带中电子分布随AlxGa1 -xN势垒层中Al组分的变化关系 ,并用AlxGa1 -xN GaN异质结构自发极化与压电极化机理和能带偏移对结果进行讨论分析 . By self consistently sovling the coupled Schrdinger and Poisson equations, we have investingated the property of the two dimensional electron gases (2DEG) in Al x Ga 1- x N/GaN heterostructures. We demonstrate the dependence of the density, the distribution, and the subband occupation of the 2DEG on the Al\|content of the AlGaN barrier. Band offset and mechanism of spontaneous and piezoelectric polarization were concerned to discuss our results.

关 键 词： 异质结构 铝组分 二维电子气 自发极化 压电极化 能带偏移 半导体 氮镓铝化合物 氮化镓

领　　域： [电子电信] [理学] [理学]