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期刊文章 五氧化二钽高K薄膜作为MOSFET绝缘栅研究
出处:电子质量 2007年第4期 1-3,共3页
摘要:本文综述了MOSFET栅介质的最新研究状况.介绍了Ta2O5高K薄膜材料作为MOSFET栅氧化物在现阶段主要的制备技术... 显示全部
关键词: 微电子技术 栅介质 五氧化二钽 电学特性
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期刊文章 高k栅介质材料的研究进展
出处:半导体技术 2007年第2期 97-100,共4页
摘要:综述了超薄SiO2栅介质层引起的问题、MOS栅介质层材料的要求、有希望取代传统SiO2的高k栅介质材料的研究进... 显示全部
关键词: 栅介质 栅介质 等效氧化物
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期刊文章 超深亚微米集成电路可靠性技术
出处:电子产品可靠性与环境试验 2005年第B12期 56-59,共4页
摘要:就超深亚微米集成电路中高k栅介质、金属栅、Cu/低k互连等相关可靠性热点问题展开讨论,针对超深亚微米集成... 显示全部
关键词: 超深亚微米集成电路 可靠性 栅介质 金属栅 互连
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