作　　者： ; ; ;

机构地区： 重庆科技学院冶金与材料工程学院

出　　处： 《半导体技术》 2007年第2期97-100,共4页

摘　　要： 综述了超薄SiO2栅介质层引起的问题、MOS栅介质层材料的要求、有希望取代传统SiO2的高k栅介质材料的研究进展。提出了高k栅介质材料研究中需进一步解决的问题。 Some problems of SiO2 gate dielectrics, requirements for high k materials as MOSFET gate dielectrics and the latest development of high k gate dielectrics instead of traditional SiO2 were reviewed. The issues to be solved in the development of high k materials were also pointed out.

关 键 词： 高 栅介质 栅介质 等效氧化物

领　　域： [电子电信]