作　　者： ; ;

机构地区： 信息产业部电子第五研究所

出　　处： 《电子产品可靠性与环境试验》 2005年第B12期56-59,共4页

摘　　要： 就超深亚微米集成电路中高k栅介质、金属栅、Cu/低k互连等相关可靠性热点问题展开讨论,针对超深亚微米集成电路可靠性问题,提出可靠性设计、生产过程的质量控制、可靠性评价与失效分析是集成电路可靠性综合评价与保证的核心思想,为产品可靠性评价与保证提供指导性参考。

关 键 词： 超深亚微米集成电路 可靠性 高 栅介质 金属栅 低 互连

领　　域： [电子电信] [理学] [理学] [理学] [一般工业技术]