作　　者： ; ;

机构地区： 广东工业大学材料与能源学院

出　　处： 《电子质量》 2007年第4期1-3,共3页

摘　　要： 本文综述了MOSFET栅介质的最新研究状况。介绍了Ta2O5高k薄膜材料作为MOSFET栅氧化物在现阶段主要的制备技术和进展。电学性能是今后研究应关注的主要方面。最后展望了其在MOSFET绝缘栅的研究前景。 The new research of MOSFET-gate dielectric was summarized.Main preparation technology and progress of high dielectric constant （high-k） tantalum oxide films as MOSFET- gate oxide were introduced,And what＇s more,the electricity characteristics should pay close attention to.Finally,the development perspective of tantalum oxide was previewed.

关 键 词： 微电子技术 栅介质 五氧化二钽 高 电学特性

领　　域： [电子电信]