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期刊文章 10~100Gb/s 全光开关相干控制的物理与技术研究
出处:大连理工大学学报 1997年第S2期24-24,共1页
摘要: 10~100Gb/s全光开关相干控制的物理与技术研究周建英李伟良罗琦余向阳(中山大学超快速激光光谱... 显示全部
关键词: 全光开关 相干控制 超快速激光光谱学 运行特性 多量子阱 物理 液氮温区 技术研究 飞秒激光器 品质因子
期刊文章 金属有机化学气相沉积外延技术生长GaN基半导体发光二极管和激光二极管(Ⅰ)
出处:物理 2005年第9期 648-653,699,共7页
摘要:文章评论性地介绍了金属有机化学气相外延技术(MOCVD)生长氮化物半导体GaN和InGaN以及激子局域化效应、量... 显示全部
关键词: 金属有机化学气相沉积外延 发光二极管 激光二极管 多量子阱 金属有机化学气相沉积 氮化物半导体 外延技术 生长
期刊文章 GeSi/Si多量子阱光波导模特性分析和结构设计
出处:陕西师范大学学报:自然科学版 1998年第1期 33-36,共4页
摘要:根据普适于任意阱数方波折射率分布的多量子阱光波导模场分布函数和模特征方程,分析了以GeSi/Si多... 显示全部
关键词: 多量子阱 光波导 结构设计 半导体 硅化锗
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期刊文章 CdTe/CdZnTe多量子阱激子复合动力学性质的研究
出处:物理学报 1999年第1期 180-185,共6页
关键词: 多量子阱 激子复合动力学 碲化镉 镉锌碲
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期刊文章 非等温模型下多量子势垒结构对LED性能的影响
出处:科学通报 2012年第23期2231-2236,共6页
摘要:引入了多量子势垒结构作为发光二极管的电子阻挡层来提高其性能.在非等温多物理场耦合模型下,对芯片的内量... 显示全部
关键词: 发光二极管 内量子效率 多量子阱 光谱强度 漏电流
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期刊文章 ZnMgSe/ZnCdSe多量子阱的光学性质
出处:固体电子学研究与进展 2002年第4期 425-428,共4页
摘要:通过光致发光(PL)和拉曼(Raman)光谱研究了分子束外延(MBE)生长的ZnMgSe/ZnCdSe多量子阱的光学性质。... 显示全部
关键词: 多量子阱 光致发光 拉曼光谱
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期刊文章 多量子阱中注入载流子的非均匀分布
出处:光子学报 2006年第9期 1313-1316,共4页
摘要:根据多量子阱中注入载流子的输运机制,计算了多量子阱中注入载流子的非均匀分布.引入不均匀度参量Asy来衡... 显示全部
关键词: 半导体器件与技术 多量子阱 注入载流子 非均匀分布
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期刊文章 非等温耦合模型下大功率LED特性的研究
出处:工程热物理学报 2012年第4期 647-650,共4页
摘要:本文建立了发光二极管(LED)芯片的非等温多物理场耦合模型。结果表明,芯片内热源集中在多量子阱(MQWs)... 显示全部
关键词: 发光二极管 多量子阱 内量子效率
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