作　　者： ; ; ; ;

机构地区： 陕西师范大学

出　　处： 《陕西师范大学学报（自然科学版）》 1998年第1期33-36,共4页

摘　　要： 根据普适于任意阱数方波折射率分布的多量子阱光波导模场分布函数和模特征方程，分析了以ＧｅＳｉ／Ｓｉ多量子阱为波导芯、Ｓｉ为覆盖层的光波导结构中锗含量、周期数、占空度、厚度、折射率分布等参量对光波导传播系数的影响．结合吸收特点，对波导探测器ＭＱＷ吸收层结构进行优化设计． According to field distribution function and mode property equation in MQW optical waveguide, the influence of Si composition, period number and depth to plate waveguide mode property is analyzed, waveguide is formed by GeSi/Si MQW core and Si cover GeSi/Si MQW absorber layer structure is optimum designed.

关 键 词： 多量子阱 光波导 结构设计 硅 半导体 硅化锗

领　　域： [电子电信]