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会议论文 Si(111)衬底上3C-SiC的CVD异质外延生长
出处:第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
摘要:以乙烯和硅烷为生长气源、在900~1000℃下、用化学气相淀积方法在硅(111)衬底上外延生长了碳化硅薄膜.X射线... 显示全部
关键词: 外延生长 化学气相淀积 射线衍射谱 俄歇电子能谱 拉曼散射 碳化硅薄膜
会议论文 低压MOCVD ZnO的生长与性质
出处:第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
摘要:利用LP-MOCVD技术在(0002)蓝宝石衬底上制备出c轴取向高度一致的单晶ZnO薄膜,AFM测量显示其表面形貌为柱状... 显示全部
关键词: 光电性质 氧化锌薄膜 化学气相淀积 薄膜制备
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