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会议论文 PMOSFET的NBTI效应
出处:中国电子学会可靠性分会第十二届学术年会
摘要:随着工艺的进步,器件尺寸的不断缩小,PMOSFET受NBTI(NEGATIVE BIAS TEMPERATURE INSTABILITY)效应影响而失... 显示全部
关键词: 栅氧可靠性 效应 退化现象 场效应器件 半导体器件
会议论文 薄栅氧化层斜坡电压TDDB寿命评价
出处:中国电子学会可靠性分会第十二届学术年会
摘要:随着超大规模集成电路的不断发展,薄栅氧化层的质量对器件和电路可靠性的作用越来越重要.经时绝缘击穿(TDDB... 显示全部
关键词: 薄栅氧化物 击穿机理 斜坡电压法 寿命评价 集成电路 绝缘击穿 可靠性
会议论文 MOS器件的X射线辐照效应
出处:中国电子学会可靠性分会第十二届学术年会
摘要:本文研究了在10KEV X射线辐照情况下MOS器件的阈值电压随总剂量和剂量率的改变而变化的趋势.实验结果表明,... 显示全部
关键词: 器件 射线 辐照效应 阈值电压 漂移幅度 场效应器件 可靠性
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