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会议论文 MOS器件电离辐射总剂量退化的温度效应
出处:第十二届全国可靠性物理学术讨论会
摘要:MOS器件辐射效应的一些基本物理过程,如电荷产生、空穴输运、俘获与退火以及界面陷阱增长与退火等,取决于辐... 显示全部
关键词: 器件 电离辐射 辐射效应 总剂量退化 温度效应
会议论文 低剂量率下双极晶体管的电离辐射效应
出处:中国电子学会可靠性分会第十三届学术年会
摘要:在辐照的剂量率范围内,无论是国产还是进口的双极晶体管,都有明显的低剂量率辐照损伤增强现象,且纵向NPN管... 显示全部
关键词: 低剂量率 电离辐射 双极晶体管 抗辐射加固
会议论文 MOSFET总剂量效应的Medici仿真研究
出处:2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会
摘要:本文运用Medici二维器件仿真软件改进了仿真电离辐射总剂量效应的二维数值法,仿真模拟了NMOSFET在不同总剂... 显示全部
关键词: 器件 辐照效应 电离辐射 计算机仿真
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