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期刊文章 多孔硅的电致发光
出处:固体电子学研究与进展 1993年第3期 201-204,共4页
关键词: 多孔硅 肖特基结 电致发光
期刊文章 高响应度GaN紫外探测器
出处:半导体光电 2003年第3期,共3页
摘要:采用MOCVD方法,在蓝宝石衬底上以低温GaN为缓冲层生长了GaN外延层.以上述材料制备了金属-半导体-金属(M-S-M... 显示全部
关键词: 光电探测器 响应度
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期刊文章 调制掺杂AlGan/GaN异质结上的Pt肖特基接触
出处:固体电子学研究与进展 2002年第4期 381-384,共4页
摘要:研究了调制掺杂AlxGa1-xN/GaN表面Pt肖特基接触的制备工艺,并对其进行了Ⅰ-V测量.通过改变对样品表面的处理... 显示全部
关键词: 调制掺杂 异质结 肖特基接触 表面处理
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期刊文章 纯位信息自聚焦计算全息匹配滤波器
出处:光学技术 1999年第4期82-83,共2页
摘要:本文介绍了一种用计算全息方法制作的纯全相信息自变区配滤波器,它在编码时取滤波函数的振幅为1,仅对位... 显示全部
关键词: 纯位相信息 计算全息 自聚焦 匹配滤波器
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期刊文章 高质量ZnO薄膜的退火性质研究
出处:高技术通讯 2002年第12期 45-48,共4页
摘要:在LP-MOCVD中,我们利用Zn(C2H5)2作Zn源,CO2作氧源,在(0002)蓝宝石衬底上成功制备出c轴取向高度一致的ZnO薄... 显示全部
关键词: 薄膜 氧化锌薄膜 退火 光致发光 金属有机气相外延沉积
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期刊文章 溶胶—凝胶法制备ZnO基稀释磁性半导体薄膜
出处:高技术通讯 2003年第3期 64-66,共3页
摘要:用溶胶-凝胶法制备了具有良好光学性质和C轴取向的ZnO:Fe薄膜.ZnO:Fe薄膜具有尖锐的带边发光,禁带宽度约为3... 显示全部
关键词: 稀释磁性半导体薄膜 溶胶 凝胶法 氧化锌 制备方法
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期刊文章 AlxGal-xN/GaN异质结构中Al组分对二维电子气性质的影响
出处:物理学报 2003年第7期 1756-1760,共5页
摘要:通过用数值计算方法自洽求解薛定谔方程和泊松方程,研究了Al组分对AlxGa1-xN/GaN异质结构二维电子气性质的... 显示全部
关键词: 异质结构 铝组分 二维电子气 自发极化 压电极化 能带偏移 半导体 氮镓铝化合物 氮化镓
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期刊文章 位相型单缝衍射因子的实验研究
出处:应用激光 2000年第2期 79-80,66,共3页
摘要:对二元光学元件单元结构的衍射因子进行了实验研究。用微电子技术制作了位相台阶数分别为 2、3、4、8等几种... 显示全部
关键词: 二元光学元件 单元结构 衍射因子 微电子
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期刊文章 III族氮化物基的肖特基势垒二极管的研制
出处:高技术通讯 2003年第7期 50-53,共4页
摘要:研制了三类不同金属和III族氮化物接触的肖特基势垒二极管.测量了器件的电流-电压特性,并分析了器件偏离理... 显示全部
关键词: 族氮化物 肖特基势垒二极管 氮化钾 半导体材料 氮化铝 理想因子 势垒高度 能带
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期刊文章 Mn+离子注入的GaN薄膜的光学性质及其磁性
出处:半导体学报 2003年第12期 1276-1279,共4页
摘要:利用离子注入法将磁性离子Mn+注入到采用金属有机化学气相沉积法制备的GaN薄膜中,获得了稀磁半导体(Ga,Mn... 显示全部
关键词: 稀磁半导体 薄膜 铁磁性 居里转变温度 离子注入 光学性质 光致发光谱
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