作　　者： ; ; ; ; ; ; ;

机构地区： 南京大学物理学院物理学系

出　　处： 《高技术通讯》 2003年第7期50-53,共4页

摘　　要： 研制了三类不同金属和III族氮化物接触的肖特基势垒二极管。测量了器件的电流 电压特性 。 Schottky barrier diodes with different metal on III nitride have been fabricated. The electrical characteristics of these devices were measured. The reasons that the devices deflect from the ideal situation are analyzed and discussed.

关 键 词： 族氮化物 肖特基势垒二极管 氮化钾 半导体材料 氮化铝 理想因子 势垒高度 能带

领　　域： [电子电信]