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期刊文章 SDB/SOI双极器件失效机理与可靠性评价技术研究
出处:微电子学 2006年第3期 269-271,共3页
摘要:对硅片直接键合/绝缘体上硅(SDB/SOI)双极电路的退化机理进行了描述。在基极-发射极反向偏置的条件下,... 显示全部
关键词: 双极器件 失效机理 可靠性
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期刊文章 大功率LED的寿命与散热技术的研究进展
出处:微电子学 2013年第2期257-262,277共7页
摘要:介绍了大功率发光二极管(LED)的工作原理,总结和分析了国内外文献中关于电流、结温与环境湿度对大功率LED... 显示全部
关键词: 大功率 寿命 散热 结温 热阻
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期刊文章 一种通用低成本大功率高亮度LED封装技术
出处:微电子学 2007年第3期 354-357,363,共5页
摘要:提出了一种热传导高、热膨胀匹配良好、低成本、大功率、高亮度LED封装技术。该技术采用光电子与微电子技术... 显示全部
关键词: 大功率 白光 封装 热膨胀匹配 热阻
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期刊文章 集成电路互连线电迁移测试方法与评价
出处:微电子学 2004年第5期 489-492,共4页
摘要:介绍了研究集成电路互连线电迁移的两种方法:加速寿命试验和移动速度试验.对加速寿命试验进行了分析和评价.... 显示全部
关键词: 集成电路 互连线 电迁移 加速寿命试验 移动速度试验
期刊文章 通孔对金属连线温度分布的影响
出处:微电子学 2006年第4期 385-388,共4页
摘要:详细讨论了考虑通孔自热的金属连线温度分布模型,并通过该模型,计算了不同通孔直径和高度情况下,单一及... 显示全部
关键词: 集成电路 通孔 金属连线 温度分布模型 通孔自热 通孔直径 通孔高度
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期刊文章 电荷泵技术在CMOS工艺中的应用研究
出处:微电子学 2012年第5期710-715,720共7页
摘要:随着CMOS工艺的发展,栅介质层厚度不断减薄,而电源电压并没有等比例缩小,导致栅漏电流不断增大,测量界面态... 显示全部
关键词: 电荷泵 界面态 氧化层陷阱电荷 空间分布 能量分布
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期刊文章 熔性/亚熔性激光退火工艺过程数值分析
出处:微电子学 2015年第1期125-129,135共6页
摘要:熔性/亚熔性激光退火在IGBT类电力电子器件制造中有着重要的作用。该工艺涉及瞬间、局部、高强度的能量馈入... 显示全部
关键词: 激光退火 热场分析 杂质再扩散
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期刊文章 金属系统对SiGe HBT自热效应的影响
出处:微电子学 2005年第4期 332-335,339,共5页
摘要:在SiGe HBT设计中,采用Al-TiN-Ti多层金属系统,可减小基极电阻,提高器件的频率和功率特性(fmax).但是,本文... 显示全部
关键词: 多层金属结构 自热效应 输出特性
期刊文章 准分子激光晶化制备TFT多晶硅薄膜的研究进展
出处:微电子学 2006年第1期 70-74,共5页
摘要:对准分子激光晶化制备TFT用多晶硅薄膜的研究进展进行了综述。介绍了晶化过程中的超级横向生长现象。主要结... 显示全部
关键词: 多晶硅薄膜 准分子激光晶化 人工控制超级横向生长
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期刊文章 MOS器件的X射线辐照效应
出处:微电子学 2005年第5期 497-500,共4页
摘要:研究了在10 keV X射线辐照情况下,MOS器件的阈值电压随总剂量和剂量率的改变而变化的趋势.实验结果表明,辐... 显示全部
关键词: 器件 辐照 剂量率 总剂量 射线
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