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期刊文章 升级冶金级Si衬底上ECR-PECVD沉积多晶Si薄膜
出处:半导体技术 2008年第2期 117-120,共4页
摘要:成功地应用电子回旋共振微波等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)法在升级冶金级Si衬底上175℃低温条件... 显示全部
关键词: 硅衬底 电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积 多晶硅薄膜
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期刊文章 氧化锌纳米棒的制备与表征
出处:化学工程师 2015年第11期8-12,共5页
摘要:本论文探索一种良好制备ZnO纳米棒的方法。通过高分子络合软模板法在硅衬底和聚丙烯酰胺膜中间生长出顶面平... 显示全部
关键词: 硅衬底 纳米棒
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期刊文章 硅衬底Ba1-xSrxNbyTi1-yO3薄膜光敏特性的研究
出处:应用光学 2005年第5期 45-49,共5页
摘要:利用硅平面工艺和氩离子束镀膜技术在SiO2/Si衬底上淀积一层厚45 nm的钛铌酸锶钡(Ba1-x SrxNbyTi1-yO3)薄膜... 显示全部
关键词: 钛铌酸锶钡薄膜 光敏特性 吸收光谱 频率特性 薄膜电阻器 硅衬底 铌酸锶钡 光照特性 禁带宽度
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期刊文章 一种新型垂直结构的Si基GaN绿光LED
出处:半导体技术 2008年第S1期235-237,共3页
摘要: 为了改善Si基LED的电流扩展问题以及降低其工作电压,阐述了一种工艺简单新型垂直结构的Si基GaN绿光LED(V-L... 显示全部
关键词: 硅衬底 通孔 垂直结构 电流扩展 绿光 电极
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期刊文章 硅衬底GaN基LED外延生长的研究
出处:压电与声光 2009年第4期 544-546,共3页
摘要:采用在A1N缓冲层后原位沉积SiN掩膜层,然后横向外延生长GaN薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1.7μm无裂纹... 显示全部
关键词: 硅衬底 薄膜 发光二极管
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期刊文章 硅衬底SrTiO3薄膜的热敏特性
出处:华南理工大学学报:自然科学版 2001年第3期 35-38,共4页
摘要:利用氩离子束镀膜技术在SiO2/Si衬底上淀积钛酸锶(SrTiO3)膜,并制成平面型电阻器。结果表明:在实验温区... 显示全部
关键词: 热敏电阻器 热敏特性 钛酸锶薄膜 硅衬底 氩离子束镀膜技术 陶瓷薄膜
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