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期刊文章 退火对Y2O3薄膜结构和电学性能的影响
出处:材料导报 2008年第7期 123-125,138,共4页
摘要:采用射频磁控反应溅射法,成功地在n-Si衬底上制备了高k栅介质Y2O2薄膜。对薄膜在不同温度退火后的结构、成... 显示全部
关键词: 薄膜 退火 漏电流 界面层
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期刊文章 Sol-gel法制备Bi3.25La0.75Ti3O12铁电薄膜及其性能
出处:中国科学:E辑 2007年第1期7-11,共5页
摘要:采用Sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Bi3.25La0.75Ti3O12(BLT)薄膜.制备的BLT薄膜具有单一的... 显示全部
关键词: 薄膜 铁电性能 疲劳特性 漏电流
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期刊文章 金属—氮氧化硅—硅电容在本征击穿前的漏电特性
出处:电子学报 1993年第11期 91-94,共4页
摘要:本文的实验结果表明,从6MV/cm到14MV/cm的外加电场范围内,在氮氧化硅膜的漏电机理与常规方... 显示全部
关键词: 漏电流 氮氧化硅 浅陷阱 击穿
期刊文章 非等温模型下多量子势垒结构对LED性能的影响
出处:科学通报 2012年第23期2231-2236,共6页
摘要:引入了多量子势垒结构作为发光二极管的电子阻挡层来提高其性能.在非等温多物理场耦合模型下,对芯片的内量... 显示全部
关键词: 发光二极管 内量子效率 多量子阱 光谱强度 漏电流
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期刊文章 Ce、V共掺杂BiFeO_3多铁薄膜及其电性能研究
出处:功能材料 2011年第3期421-424,共4页
摘要:采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上成功制备出纯BiFeO3(BFO)和Ce、V共掺杂Bi0.97Ce0.03Fe1-xVxO3(x=0,... 显示全部
关键词: 技术 离子掺杂 铁电性能 漏电流
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期刊文章 Sol—gel法制备Bi3.4Ce0.6Ti3O12铁电薄膜及其性能
出处:中国科学:E辑 2008年第3期442-447,共6页
摘要:采用Sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备Bi3.4Ce0.6Ti3O12薄膜.利用X射线衍射仪和原子力显微镜对其... 显示全部
关键词: 薄膜 工艺 铁电性能 介电性能 疲劳特性 漏电流
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