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期刊文章 深亚微米体硅器件电离辐射及退火与温度的相关性研究
出处:电子质量 2011年第3期 18-20,共3页
摘要:对经过Co60不同剂量剂量率辐照的体硅MOS器件(NMOSFET与PMOSFET)分别进行了室温和高温下的退火实验,并对... 显示全部
关键词: 温度 退火效应 总剂量效应 电离辐射
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期刊文章 深亚微米MOS晶体管总剂量效应模型研究
出处:核电子学与探测技术 2013年第6期735-738,774共5页
摘要:总剂量辐照效应会在器件氧化层中引入固定电荷和界面态。对于深亚微米CMOS器件而言,栅氧化层非常薄,固定... 显示全部
关键词: 总剂量效应 浅沟道隔离 泄漏电流 退化
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期刊文章 电离辐射中SOI MOSFETs的背栅异常kink效应研究
出处:半导体学报 2008年第1期 149-152,共4页
摘要:采用10keVX射线研究了部分耗尽S01MOSFETs的总剂量辐射效应.实验结果显示,在整个辐射剂量范围内,前栅特... 显示全部
关键词: 射线 部分耗尽 效应 总剂量效应
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