作　　者： ; ; ;

机构地区： 吉林大学珠海学院

出　　处： 《电子质量》 2011年第3期18-20,共3页

摘　　要： 对经过Co60不同剂量剂量率辐照的体硅MOS器件(NMOSFET与PMOSFET)分别进行了室温和高温下的退火实验,并对退火结果进行分析,讨论了退火温度对MOS器件阈值电压及辐射感生的氧化层陷阱电荷与界面态电荷产生的影响。 The MOS devices which have been irradiated under the different dose and dose rate radiation will be annealed under the room temperature and the high temperature,the annealing results will be analyzed,and the anneal temperature effect will be discussed later.

关 键 词： 温度 退火效应 总剂量效应 电离辐射

领　　域： [电子电信]