作　　者： ; ; ; ; ; ; ; ;

机构地区： 中南大学物理与电子学院

出　　处： 《Journal of Semiconductors》 2008年第1期149-152,共4页

摘　　要： 采用10keVX射线研究了部分耗尽SOIMOSFETs的总剂量辐射效应.实验结果显示,在整个辐射剂量范围内,前栅特性保持良好;而nMOSFET和pMOSFET的背栅对数Id-Vg2曲线中同时出现了异常kink效应.分析表明电离辐射在埋氧/顶层硅(BOX/SOI)界面处产生的界面态陷阱是导致异常kink效应产生的原因.基于MEDICI的二维器件模拟结果进一步验证了这个结论. Total dose irradiation effects of partially depleted SO1 MOSFETs are studied under 10keV X-ray exposure. Results show that the front-gate characteristics do not change significantly during irradiation. An anomalous kink is observed in the back-gate loga- rithmic curve of both nMOS and pMOS, which is attributed to charged traps at the buried oxide/top silicon （BOX/SOD interface during irradiation. Two-dimensional numerical simulation using MEDICI supports this conclusion.

关 键 词： 射线 部分耗尽 效应 总剂量效应

领　　域： [电子电信]