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期刊文章 ZnSe及ZnSe/GaAs异质结构中压力导致的直接禁带向间接禁带的转变
出处:发光学报 2002年第5期 456-460,共5页
摘要:用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层Γ、X、L等特殊对称点导带底能量随压力... 显示全部
关键词: 静压 异质结构 直接禁带 间接禁带转变 压力系数 半导体材料 硒化锌 砷化镓 光致发光
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期刊文章 AlGaN/GaN异质结构欧姆接触的研制
出处:固体电子学研究与进展 2004年第1期 142-144,共3页
摘要:研究了GaN高温宽禁带半导体外延层上欧姆接触的制备工艺,讨论了几种测试方法的优缺点,并根据器件制作的工艺... 显示全部
关键词: 欧姆接触 工艺兼容性 异质结构
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期刊文章 三元混晶异质结构介面光学声子模
出处:内蒙古大学学报:自然科学版 1998年第5期 637-643,共7页
摘要:运用 无规元素孤立位移模型,研究了三元混晶构成的三层极性半导体之界面光学声子模。 显示全部
关键词: 光学声子 异质结构 三元混晶 界面光学模 半导体
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期刊文章 AlxGal-xN/GaN异质结构中Al组分对二维电子气性质的影响
出处:物理学报 2003年第7期 1756-1760,共5页
摘要:通过用数值计算方法自洽求解薛定谔方程和泊松方程,研究了Al组分对AlxGa1-xN/GaN异质结构二维电子气性质的... 显示全部
关键词: 异质结构 铝组分 二维电子气 自发极化 压电极化 能带偏移 半导体 氮镓铝化合物 氮化镓
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期刊文章 n型苝/p型无金属酞菁异质复合多层膜的紫外-可见吸收谱研究
出处:真空科学与技术 2003年第4期 223-225,共3页
摘要:利用真空蒸发技术生长了层厚为纳米数量级的n型导电苝系衍生物(全氟取代苝酰亚胺)/p型导电无金属酞菁异质复... 显示全部
关键词: 酞菁 异质结构 纳米复合
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期刊文章 CaRuO3电极对(Ba,Sr)TiO3薄膜的介电特性的影响
出处:功能材料与器件学报 2007年第3期 266-270,共5页
摘要:在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上,用脉冲激光沉积工艺分别制备出了(110)外延取向生长的(Ba0.65Sr0.... 显示全部
关键词: 脉冲激光沉积 钛酸锶钡薄膜 异质结构 介电调谐率
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期刊文章 A facile and efficient dry transfer technique for two-dimensional Van der Waals heterostructure
出处:中国物理B:英文版 2017年第8期417-422,共6页
摘要:二维(2D ) 凡 der Waals heterostructures 在最近的年里引起了广泛的担心。他们的制造为完成明确的结构要... 显示全部
关键词: 异质结构 二维材料 范德瓦尔斯 技术 干法 简便 设备结构 制造
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期刊文章 含负折射率材料一维光子晶体异质结构的吸收特性研究
出处:半导体光电 2013年第5期807-810,共4页
摘要:利用传输矩阵理论,研究了含负折射率材料一维圯子晶体异质结构的吸收特性。发现光子晶体异质结构某些带隙... 显示全部
关键词: 光子晶体 异质结构 单向 吸收峰
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