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期刊文章 GaN基材料生长及其在光电器件领域的应用
出处:材料导报 2002年第1期 31-35,共5页
摘要:GaN具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度大和介电常数小等特点,在高亮度发光二极管、短波长激光二... 显示全部
关键词: 外延生长 掺杂 半导体器件 光电器件 半导体材料 制备 氮化镓
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期刊文章 ATX电源中功率半导体元件散热技术研究
出处:电源技术 2011年第10期 1281-1284,共4页
摘要:测试了三种类型ATX电源在相同条件下工作时半导体器件的发热温度.计算了其发热功耗。对比了不同种类电源在... 显示全部
关键词: 电源 半导体器件 微热管散热 模拟分析
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期刊文章 多晶硅薄膜晶化率对暗电导率的影响
出处:韩山师范学院学报 2004年第3期 61-64,共4页
摘要:采用氢等离子体加热的方法晶化a-Si:H薄膜制备多晶硅薄膜.用Raman散射谱进行结构表征和分析,研究了薄膜晶化... 显示全部
关键词: 多晶硅薄膜 晶化率 暗电导率 散射谱 半导体器件
期刊文章 球栅阵列(BGA)器件焊点形态成形建模与预测
出处:半导体学报 1999年第1期 47-52,共6页
摘要:本文基于最小能量原理建立了塑料球栅阵列焊点形态成形模型,运用有限元方法预测PBGA焊点形态,并对预... 显示全部
关键词: 球栅阵列 封装 器件 半导体器件
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期刊文章 半导体器件功率老化的结温控制方法研究
出处:实验技术与管理 2010年第5期 46-49,79,共5页
摘要:半导体器件功率老化所面临的主要问题是结温控制。为了确保半导体器件老化的可靠性,对现有的连续脉冲结温... 显示全部
关键词: 半导体器件 功率老化 结温控制
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期刊文章 GexSi1—x/Si超晶格PIN波导探测器结构及性能参数
出处:半导体光电 1996年第3期 238-242,共5页
摘要:从PIN波导探测器性能参数的定义出发,阐述了各类参数之间的内在联系,说明量子效率与带宽、灵敏度等物... 显示全部
关键词: 半导体器件 波导 光电探测器 量子效率
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期刊文章 功率转换技术的现状及发展趋势
出处:电源世界 2004年第1期 5-9,共5页
摘要:本文从元器件、电路和系统等几个方面,对当今国内外电力领域功率变换技术的发展现状及趋势进行了叙述和展... 显示全部
关键词: 半导体器件 功率转换 功率器件 高频化 模块化
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