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GexSi1-x/Si超晶格PIN波导探测器结构及性能参数
Structures and performance parameters of Ge x Si 1- x /Si superlattice PIN waveguide detectors

作  者: ; ;

机构地区: 西安交通大学

出  处: 《半导体光电》 1996年第3期238-242,共5页

摘  要: 从PIN波导探测器性能参数的定义出发,阐述了各参数之间的内在联系,说明量子效率与带宽、灵敏度等物理量之间的矛盾现象。通过对具体结构及参数的分析比较,说明结构与参数之间的影响方式以及GexSi1-x/Si超晶格波导探测器的特有性质。 According to the definition of the performance parameters of PIN waveguide detector,the interrelations of these parameters are described,and the contradictions between a quantum efficiency and a bandwidth,sensivity,etc are explained.An influence of the structure on the parameters and the inherent properties of Ge x Si 1- x /Si superlattice waveguide detectors are mentioned through analysing and comparing practical structures and parameters.And the advantage of the waveguide detectors is further demonstrated.

关 键 词: 半导体器件 波导 光电探测器 量子效率

领  域: [电子电信]

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