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期刊文章 AlxGal-xN/GaN异质结构中Al组分对二维电子气性质的影响
出处:物理学报 2003年第7期 1756-1760,共5页
摘要:通过用数值计算方法自洽求解薛定谔方程和泊松方程,研究了Al组分对AlxGa1-xN/GaN异质结构二维电子气性质的... 显示全部
关键词: 异质结构 铝组分 二维电子气 自发极化 压电极化 能带偏移 半导体 氮镓铝化合物 氮化镓
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期刊文章 AlGaN/InGaN/GaN双异质结构中2DEG的数值模拟
出处:科学技术与工程 2006年第23期 4682-4684,4694,共4页
摘要:由于InGaN的物理性质,在传统AlGaN/GaN单异质结中嵌入一定厚度的InGaN层,会使二维电子气的密度提高为原... 显示全部
关键词: 二维电子气 导带差 极化 自洽求解
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