作　　者： ; ; ;

机构地区： 天津大学

出　　处： 《科学技术与工程》 2006年第23期4682-4684,4694,共4页

摘　　要： 由于InGaN的物理性质,在传统AlGaN/GaN单异质结中嵌入一定厚度的InGaN层,会使二维电子气的密度提高为原来的近两倍。正是从导带差、极化效应两个方面分析了这种现象的原因,并且通过自洽求解泊松方程和薛定谔方程分别作出了AlGaN/InGaN/GaN双异质结和AlGaN/GaN单异质结的能级图以及2DEG的电子能量图,进一步解释了该现象。 Due to the physical property, the concentration of 2DEG which is in inserting InGaN in AlGaN/GaN SH-heterojunction is nearly twice then AIGaN/GaN. The reason from the offset of conduction band and polarization are nalysed, and the chart of the energy level was drawing by self-consistent solving Poisson equation and Schrodinger equation, the phenomenon is explained by The chart.

关 键 词： 二维电子气 导带差 极化 自洽求解

领　　域： [电子电信]