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会议论文 三元Ga<,x>In<1-x>P和四元(Al<,x>Ga<1-x>)<,0.51>In<,0.49>P
出处:全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议
摘要:测量了室温下三元Ga<,x>In<1-x>P和四元(Al<,x>Ga<1-x>)<,0.51>In<,0.49>P(X=0.29)合金背散射配置下的喇曼... 显示全部
关键词: 喇曼谱 有序化 族半导体
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