中文会议： 《功能材料与器件学报》6卷

会议日期： 2000-10-31

会议地点： 海口

主办单位： 中国电子学会

出版方 ： 《功能材料与器件学报》编辑部

出版日期： 2000-10-31

出版地： 上海

作　　者： ; ; ; ; ;

机构地区： 中国科学院上海技术物理研究所

出　　处： 《全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议》

摘　　要： 测量了室温下三元Ga<,x>In<1-x>P和四元(Al<,x>Ga<1-x>)<,0.51>In<,0.49>P(X=0.29)合金背散射配置下的喇曼光谱。三元Ga<,x>In<1-x>P的喇曼谱表现为双模形式，在DALA带上叠加了FLA模，在有序样品中观察到了类GaP的TO<,1>模和类InP的TO<,2>模，类GaP的LO<,1>模和类InP的LO<,2>模的分裂，表示有序度的b/a比从无序样品的0.40变化到有序样品的0.10，有序样品b/a比的降低是由于TO<,1>模和LO<,1>模分裂的影响所造成的。四元(Al<,x>Ga<1-x>)<,0.51>In<,0.49>P为三模形式，观察到了双峰结构的FLA模，由于Al组分的影响，类GaP的LO模成了类InP的LO模的肩峰。所有模式与经验公式吻合得很好。

关 键 词： 喇曼谱 有序化 族半导体

分 类 号： [O657.31]

领　　域： [理学] [理学]