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会议论文 离子注入间接诱导的高驰豫锗硅
出处:第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
摘要:应变硅是新一代超高速材料,是当前微电子学的研究热点.高驰豫的锗硅缓冲层在应变硅的制备中起重要作用.目前... 显示全部
关键词: 驰豫锗硅 超高真空化学气相沉积 离子注入
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