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会议论文 A面GAN阴极荧光激发强度特性的研究
出处:第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
摘要:对MOCVD生长的R-AL2O3上的A面GAN薄膜采取了两种方式的室温阴极荧光的测试,即固定电子束加速电压改变电了束... 显示全部
关键词: 氮化镓薄膜 阴极荧光 激发强度 金属有机物 化学气相淀积 自由载流子
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