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会议论文 MOS器件的X射线辐照效应
出处:中国电子学会可靠性分会第十二届学术年会
摘要:本文研究了在10KEV X射线辐照情况下MOS器件的阈值电压随总剂量和剂量率的改变而变化的趋势.实验结果表明,... 显示全部
关键词: 器件 射线 辐照效应 阈值电压 漂移幅度 场效应器件 可靠性
会议论文 MOSFET总剂量效应的Medici仿真研究
出处:2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会
摘要:本文运用Medici二维器件仿真软件改进了仿真电离辐射总剂量效应的二维数值法,仿真模拟了NMOSFET在不同总剂... 显示全部
关键词: 器件 辐照效应 电离辐射 计算机仿真
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