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会议论文 MOCVD生长不同Al组分AlGaN薄膜
出处:第三届全国先进焦平面技术研讨会
摘要:本文研究了利用金属有机物化学汽相淀积系统(MOCVD)生长高质量不同Al组分AlxGa1-xN薄膜(0.13<x<0.8)。扫... 显示全部
关键词: 半导体薄膜 薄膜生长 汽相淀积
会议论文 Mg掺杂的AlGaN的MOCVD生长
出处:第三届全国先进焦平面技术研讨会
摘要:本文对利用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)方法制备的Mg掺杂AlGaN薄膜进行了研究。根据Raman光谱对Mg掺杂Al... 显示全部
关键词: 半导体薄膜 薄膜生长 汽相淀积 汞掺杂量 岛状晶核
会议论文 La<,0.5>Sr<,0.5>CoO<,3>薄膜的外延生长及其电性能的研究
出处:中国科协首届学术年会
摘要:<正>La0.5Sr0.5CoO3(LSCO)具有优良的导电性和化学稳定性,用作薄膜电极可明显地改善铁电薄膜的寿命和疲劳... 显示全部
关键词: 薄膜生长 脉冲激光沉积 半导体材料 电性能 外延生长
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