中文会议： 第三届全国先进焦平面技术研讨会论文集

会议日期： 2007-06-01

会议地点： 桂林

主办单位： 中国电子学会

作　　者： ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ;

机构地区： 南京大学物理学院江苏省光电信息功能材料重点实验室

出　　处： 《第三届全国先进焦平面技术研讨会》

摘　　要： 本文对利用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)方法制备的Mg掺杂AlGaN薄膜进行了研究。根据Raman光谱对Mg掺杂AlGaN薄膜应力和X射线摇摆曲线对晶体质量的研究表明引入高温AlN插入层能有效调节应力,并提高薄膜质量,降低位错密度。实验发现在保持Mg掺杂量不变的情况下,随着Al组分的上升,材料中出现大量岛状晶核,粗糙度变大,晶体质量下降,由三维生长向二维生长的转变更加困难。同时研究发现Al组分的上升和Mg掺杂量的增加都会使得螺位错密度上升；Mg的掺杂对于刃位错有显著影响,而Al组分的上升对刃位错无明显影响。经过退火温度对空穴浓度影响的研究,发现对于P型Al0.1Ga0.9N样品,900℃为比较理想的退火温度。

关 键 词： 半导体薄膜 薄膜生长 汽相淀积 汞掺杂量 岛状晶核

领　　域： [一般工业技术]