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会议论文 LDMOS全耗尽漂移区的电流计算方法
出处:中国电子学会第十四届青年学术年会
摘要:本文提出了一个基于表面势的耗尽层电流计算新方法,由于LDMOS结构的特殊性,其漂移区电流受到源漏栅电势的... 显示全部
关键词: 集成电路 芯片设计 漂移区电流 源漏栅电势
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