中文会议： 中国电子学会第十四届青年学术年会论文集

会议日期： 2008-09-01

会议地点： 广州

主办单位： 中国电子学会

作　　者： ; ;

机构地区： 华南理工大学

出　　处： 《中国电子学会第十四届青年学术年会》

摘　　要： 本文提出了一个基于表面势的耗尽层电流计算新方法，由于LDMOS结构的特殊性,其漂移区电流受到源漏栅电势的综合影响,难以确定。在现有的诸多模型中,常常将等漂移区等效为电阻,但这并不符合耗尽层电流传输的原理。本文从分析耗尽层载流子传输原理入手,得出了漂移区全耗尽时的电流公式。该公式可用于LDMOS的器件建模中。

关 键 词： 集成电路 芯片设计 漂移区电流 源漏栅电势

领　　域： [电子电信]