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会议论文 PMOSFET的NBTI效应
出处:中国电子学会可靠性分会第十二届学术年会
摘要:随着工艺的进步,器件尺寸的不断缩小,PMOSFET受NBTI(NEGATIVE BIAS TEMPERATURE INSTABILITY)效应影响而失... 显示全部
关键词: 栅氧可靠性 效应 退化现象 场效应器件 半导体器件
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