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会议论文 PMOSFET中NBTI效应的寿命评价
出处:中国电子学会第十四届青年学术年会
摘要:本文采用阈值电压漂移量△Vth作为器件寿命评价的标准,研究了PMOSFET中NBTI效应的寿命。结果表明,影响PMOSF... 显示全部
关键词: 场效应器件 阈值电压 电压漂移 器件寿命
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