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期刊文章 注碳外延硅的荧光特性研究
出处:半导体光电 2006年第5期 560-562,共3页
摘要:研究了注碳外延硅经氢气退火及电化学腐蚀处理后的荧光特性。经能量为50keV,剂量为2×10^16cm^-2的碳离子... 显示全部
关键词: 离子注入 电化学腐蚀 蓝光发射 发光中心
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期刊文章 注C+外延硅的光致发光特性
出处:半导体学报 2003年第12期 1272-1275,共4页
摘要:在N型外延硅中注入C^+并经高温退火形成了SiC沉积.不同条件下进行阳极氧化腐蚀后,在260nm光激发下获得了3... 显示全部
关键词: 注碳外延硅 单色性 发光中心 光致发光特性
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期刊文章 响应三甲胺气体低阻TiO2基气体传感器研制
出处:微纳电子技术 2003年第12期 28-31,共4页
摘要:二氧化钛是一种良好的响应三甲胺气体的敏感材料,然而用它做成传感器后存在一个明显的缺点:阻值太高.文中采... 显示全部
关键词: 二氧化钛 热退火 掺杂 三甲胺 气体传感器
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期刊文章 激发波长和电化学腐蚀对注碳外延硅荧光特性的影响
出处:微纳电子技术 2004年第1期 26-29,共4页
摘要:电化学腐蚀是蓝光发射的前提,但不同的电化学腐蚀条件对发光强度和峰位影响极大,随着电化学腐蚀条件的加强,... 显示全部
关键词: 激发波长 电化学腐蚀 蓝光发射 注碳外延硅 荧光特性
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期刊文章 高密存储介质磁性纳米颗粒薄膜与纳米超晶格结构研究进展
出处:微纳电子技术 2003年第9期 5-10,28,共7页
摘要:钴基合金和铁基合金磁性纳米颗粒薄膜和纳米超晶格结构,由于具有较高的矫顽力和各向异性能,较小的粒子尺寸... 显示全部
关键词: 高密存储介质 磁性纳米颗粒薄膜 纳米超晶格 热稳定性 磁学性能 钴基合金 铁基合金
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