摘要：采用低噪声HEMT场效应管和低噪声放大器单片的混合电路形式开展Ku波段低噪声放大器的设计。设计出的低噪声...采用低噪声HEMT场效应管和低噪声放大器单片的混合电路形式开展Ku波段低噪声放大器的设计。设计出的低噪声放大器产品取得了很低的噪声（噪声系数≤1.29 d B）、较大的线性动态范围、较小的增益带内起伏和尺寸等优越性能,且在40 GHz频率范围内无条件稳定。该产品成功应用于某型号装备中,很好地提高了该装备的信号接收能力。它也可应用于相应频段的卫星通讯、空间遥感及雷达等的接收系统中。显示全部
摘要：面向微波毫米波低噪声放大电路对高性能低噪声放大器件的需求,进行0.15μm栅长GaAs PHEMT低噪声器件制备工...面向微波毫米波低噪声放大电路对高性能低噪声放大器件的需求,进行0.15μm栅长GaAs PHEMT低噪声器件制备工艺的开发,在制备工艺中采用了欧姆特性优异的复合帽层欧姆接触、低寄生电容的介质空洞栅结构以及高击穿电压的双槽结构。在此基础上实现了一款性能优异的Ku波段低噪声放大电路,电路在Ku频段全频带（14～18 GHz）内实现了优良的性能,其噪声系数小于1.3 d B,增益大于17 d B。电路采用5 V电源供电,功耗为250 m W,芯片面积为2 mm×1.6 mm;这款性能优异的Ku频段低噪声放大器特别适用于高信噪比要求的卫星通信等应用。显示全部
摘要：本文设计了一款W波段单片低噪声放大器(LNA),采用100 nm In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As Ga As MHEMT(渐变...本文设计了一款W波段单片低噪声放大器(LNA),采用100 nm In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As Ga As MHEMT(渐变组分高电子迁移率晶体管)工艺。该MMIC LNA采用4级放大电路结构,器件栅宽为2×20um,电路版图联合仿真结果表明该LNA在75-100GHz频带内,输入输出回波损耗均大于5d B,噪声系数小于5d B,增益大于17d B,带内增益平坦度小于1.5d B,W波段全频带内增益大于12d B。芯片面积为2.6mm×1.6mm。显示全部
