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期刊文章 深沟槽型超级结耐压提升优化报告
出处:集成电路应用 2017年第9期43-46,共4页
摘要:根据深沟槽型超级结器件的耐压原理和沟槽刻蚀填充的工艺特征,可以通过对填充工艺的调整来提升产品的耐压能... 显示全部
关键词: 功率器件 超级结 沟槽填充
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期刊文章 射频和微波电路设计中值得重视的几个问题
出处:集成电路应用
摘要:当今的设计人员和工程师面临着日益加剧的设计挑战,因此很有必要拥有一款能够高效率支持射频和微波设计的PC... 显示全部
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期刊文章 LV/HV兼容Twice-Well CMOS芯片与制程结构
出处:集成电路应用
摘要:LV/HV兼容Twice-Well CMOS技术,该技术能够实现低压5 V与高压100 V~700 V(或更高)兼容CMOS工艺。为了便于... 显示全部
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期刊文章 半导体干法刻蚀机台传送微环境对缺陷影响的研究
出处:集成电路应用
摘要:探讨美国LAM2300 E4(平台型号)型机台多晶硅Poly干法刻蚀工艺下易发缺陷造成低良率问题的改善方案。该干... 显示全部
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期刊文章 FinFET之后的集成电路制造工艺研究
出处:集成电路应用
摘要:芯片制造商已经在基于10 nm和/或7 nm Fin FET准备他们的下一代技术了,但我们仍然还不清楚FinFET还能坚持多... 显示全部
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期刊文章 超级结沟槽刻蚀对击穿电压均匀性的改善
出处:集成电路应用
摘要:超级结器件和传统功率器件相比有导通电阻低击穿电压高的特点,在汽车电子、低压电机、变频器、逆变器、电压... 显示全部
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期刊文章 2016年上海集成电路产业发展的政策环境分析
出处:集成电路应用
摘要:产业环境是产业成长与发展的土壤和雨水。2016年作为“十三五”开局之年,上海集成电路产业发展的政策措施密... 显示全部
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期刊文章 2016年全球半导体产业的资本投入与晶圆制造的产能和半导体设备材料市场分析
出处:集成电路应用
摘要:分析了2016年全球半导体产业的资本投入以及研发经费支出、全球晶圆生产线建设和产能的扩张情况、全球半导... 显示全部
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期刊文章 中国集成电路产业链的现状分析
出处:集成电路应用
摘要:2017年“芯动西安”活动周启动仪式在西安隆重开幕,国家集成电路封测产业链技术创新战略联盟秘书长于燮康应... 显示全部
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期刊文章 2016年全球与中国半导体市场分析
出处:集成电路应用
摘要:全球半导体市场在经过2015年与2016年连续两年徘徊之后,2016年走出阴影,止跌回升。与此同时,中国集成电路产... 显示全部
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