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期刊文章 额外HCl和氮化对HVPE GaN生长的影响
出处:半导体学报 2003年第11期 1171-1175,共5页
摘要:在氢化物气相外延(HVPE)生长GaN过程中,发现了一种在成核阶段向生长区添加额外HCl来改善GaN外延薄膜质量的... 显示全部
关键词: 氢化物气相外延 氮化 额外
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